Русский English
Главная → Услуги → Фаундри

Фаундри

Дорожная карта технологических процессов Wafer Foundry интегральных микросхем

        2P5M SOI 8"
1,8/3,3/100V		   2P3M SOI 8"
33/5/20-120V		 2P3M SOI 6"
3,3/5/60-150V		 2P2M SOI 6"
3,3/5/300V
                 
BCD                
      1P4M Si 12"
3.3/5/30V		 2P5M Si 8"
1,8/3,3-5/
12-50V		 2P5M Si 8"
2,5l3,3/8-100V		 2P3M Si 8"
3,3/5-12/
40-700V		 2P3M Si 6"
3.3/5/8-40V		 2P3M Si 6"
3.3/5/40V
                 
              2P3M SOI 6"
5/12/60V		  
                 
CDMOS                
        2P5M Si 8"
1.8/5/24V		 2P4M Si 8"
2,5I3,3/100V		 2P3M Si 8"
33/5/30-100V		 2P3M Si 6"
5/12-600V		 2P3M Si 6"
3.3/5/300V
                 
                 
      2P6M SiGe12"
1,2/3,3V		 2P5M SiGe12"
1,8/3,3V		 2P4M SiGe 8"
2,513,3V		 2P4M SiGe 8"
3,3/5V		 2P3M SiGe 6"
3.3-5/65V		  
BiCMOS                
          2P4M Si 8"
2.3/3,3-30V		 2P4M Si 8"
3,3/5-40V		 2P3M Si 6"
3.3/5-40V		 2P2M Si 6"
5/30V
                 
  2P10M SOI 12"
12/2.5/5V		 2P9M SOI 12"
12/2.5/5V		 2P6M SOI 8"
Rad Hard
1,8/2,5/3,3V		 2P5M SOI 8"
Rad Hard
1,8/3,3/5-40V		 2P3M SOI 8"
Rad Hard
2,5/3,3/5,5-60V		 2P4M SOI 8"
Rad Hard
2,5/3,3/5-65V		 2P3M SOI 6"
Rad Hard
3.3/5/250V		 2P2M SOI 6"
Rad Hard
3.3/5/300V
                 
CMOS                
        2P5M SiGe 8"
1.8/3.3V		 2P4M SiGe 8"
2,513,3V		 2P4M SiGe 8"
3,3/5V		    
  2P9M Si 12"
1,0-1,2-1,5
1,8-2.5-3.3V		 2P9M Si 12"
1,0-1,2/1,8-3,3/
5-30V		 2P6M Si 8"
1,2/2,5/3,3/
5-12V		 2P6M Si 8"
1,8/3,3/5-32V		 2P5M Si 8"
2,5I3,3/18-40V		 2P4M Si 8"
3.3/5V		 2P3M Si 6"
3,3/5/12-120V		 2P2M Si 6"
3.3/5/12-120V
                 
  65 nm 90 nm 0,13-0,15 µm 0,18 µm 0,25 µm 0,35 µm 0,5-0,6 µm 0,8 µm

Проектные нормы

Примеры сокращений:

  • 1,8/ 3,3/5-40v - рабочее напряжение
  • 2 P6M - 2 поликремния, 6 уровней металла
  • Si, SiGe - материал подложки или эпипленки
  • SOI - кремний на изоляторе
  • 8" - диаметр пластин
  • RadHard - радиационно стойкая технология

 

Дорожная карта технологических процессов Wafer Foundry силовой и СВЧ электроники

HF Power MMIC GaAs, GaN 6"
до 80 GHz		 GaAs, GaN 6"
до 60 GHz		   GaAs, GaN 4-6"
30 GHz		  
RF DMOS       SiC 4"
11-15db
до 2,7 GHz		 SiC 2-4"
10-14 db
до 2,5 GHz
  GaN, GaAs 6-8"
до 55 GHz		 GaN, GaAs 6-8"
до 40 GHz		 GaN, GaAs 6-8"
до 35 GHz		 GaN, GaAs 6"
12-18 db
до 22 GHz		 GaN, GaAs 4-6"
12-15db
до 6 GHz
  Si 8"
до 30 db
до 3,8 GHz		   Si6-8"
14-25 db
до 3,5 GHz		 Si6"
14-20 db
до 3 GHz		 Si 4-6"
до 20 db
до 1 GHz
IGBT         SiC 2-4"
св. 10kv
      Trench Si 6-8"
600-2000v		 Trench Si 6"
600-1200v		 Trench Si 4-6"
600-1200v
          Planar Si 4-6" 400-2000v
MOSFET         SiC 2-4"
600-10000v
          SOI 6"
Tj = +225 °C
Low Ir
      Trench Si 6-8"
20-100v		 Trench Si 6"
20-100v		 Trench Si 4-6"
20-100v
        Planar Si 4-6"
60-1200v		 Planar Si 4-6"
60-1200v
Sсhottky         SiC 2-4"
200-1200v
          GaN, GaAs 4-6"
до 1200v
        Trench Si 6"
60-100v		 Trench Si 4-6"
60-100v
          Planar Si 4-6" 20-300v
  0,15 mkm 0,25 mkm 0,35 mkm 0.5-0,6 mkm 0,8 mkm

Проектные нормы

Примеры сокращений:

  • Planar Si – кремниевая технология
  • Trench Si – щелевая технология на кремнии
  • 60-1200 V – пробивное (рабочее) напряжение
  • SOI – кремний на изоляторе